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启达启臣微CR5521/8/9内置700V高压启动副边电源IC

CR5521/4/8/9内置功率MOSFET采用栅极软驱动控制。栅极驱动能力太弱将导致较高的开关损耗；栅极驱动能力太强又将导致EMI特性较差，因此两者之间必须采取一定的折中设计。内置的图腾柱栅极软驱动设计通过调节驱动强度和死区时间很好的实现了这个折中关系，从而使芯片更容易降低系统损耗并且实现良好的EMI特性设计。

为了确保系统的正常工作，内置了多重保护措施，这些保护措施一旦被触发，将关断功率MOSFET，能够自动恢复的保护包括逐周期电流限制、过温保护、过载保护、VDD欠压锁定保护；当VDD过压保护，将进入锁存状态。

逐周期电流限制（OCP）带有内置线电压补偿，可实现宽输入电压范围（85V-265V）时恒定功率输出控制。

芯片采用了具有技术的高压启动电路，在启动时VDD时2mA的启动电流。