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TSS65R200F场效应管N沟道650V20A规格参数

TSS140N10P场效应管参数查询

低压100V场效应管N沟道TSS10N10参数及特征

TSS10N65F 650V N-Channel MOSFET特点及参数查询

OB昂宝电源芯片广泛应用于AC/DC转换场景，如充电器和适配器，其封装形式多样，选型需结合功率、效率及空间需求。以下基于常见型号介绍封装类型及关键特性：

TSS7N65D是一款高压N沟道场效应管晶体管，核心规格为7A导通电流与650V耐压等级

CR5660是一款电压模式适用于“功率因素校正/低系统谐波”应用的650V高压启动型主动式PFC+FLYBACK控制器,适合应用于PFC/THD有需求的场合。

CR5214B作为充电器运用时，芯片首先工作在CC模式，并以恒定的输出电流对电池充电，当电池电压达到满电压时迅速切换到CV工作模式。

启臣微CR5660AS是一款具有650V高压启动 的PFC反激控制器，工作于临界导通模式或谷底导通模式。

在满载运行期间，CR5843AS 通过IPRT电流来决定系统的工作频率，系统以65kHz 的固定频率运行； CR5843AS还具有峰值功率模式，满足峰值功率要求。