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低压100V场效应管N沟道TSS10N10
发布时间：2026-01-15 14:46:57 点击次数：7
低压场效应管TSS10N10U/TSS10N10D
100V N-Channel
Features特征:
Low Intrinsic Capacitances. 低固有电容。
Excellent Switching Characteristics. 出色的开关特性。
Extended Safe Operating Area.扩展的安全操作区域。
Unrivalled Gate Charge :Qg= 12.5nC (Typ.).无与伦比的栅极电荷:Qg= 12.5nC(典型值。).
BVDSS=100V,ID= 9.6A
RDS(on) : 0.14Ω (Max) @VG=10V RDS(开):VG=10V时0.14ω(最大值)
100% Avalanche Tested 9.6A100%雪崩测试9.6A
Absolute Maximum Ratings* (Tc=25℃ Unless otherwise noted)
| Parameter | Symbol | Limit | Unit |
| Drain-Source Voltage | VDS | 100 | V |
| Gate-Source Voltage | VGS | ±20 | V |
| Drain Current-Continuous | ID | 9.6 | A |
| Drain Current-Continuous(TC=100℃) | ID (100℃) | 6.5 | A |
| Pulsed Drain Current | IDM | 58 | A |
| Maximum Power Dissipation | PD | 30 | W |
| Derating factor | 0.24 | W/℃ | |
| Single pulse avalanche energy (Note 5) | EAS | 150 | mJ |
| Operating Junction and Storage Temperature Range | TJ,TSTG | -55 To 150 | ℃ |
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