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TSS140N10P场效应管100V N-Channel MOSFET

发布时间：2026-01-21 13:58:33 点击次数：4

TSS140N10P场效应管100V N-Channel MOSFET

Features:特点:

Low Intrinsic Capacitances. 低固有电容。

Excellent Switching Characteristics. 出色的开关特性。

Extended Safe Operating Area. 扩展的安全操作区域。

Unrivalled Gate Charge :Qg= 126.7nC (Typ.). 无与伦比的栅极电荷:Qg= 126.7nC(典型值。).

BVDSS=100V,ID=140A

RDS(on) mΩ (Max) @VG=10V 。VG=10V时RDS(on)mω(最大值)

100% Avalanche Tested。100%雪崩测试

Absolute Maximum RatingS(TA=25°C unless otherwise noted)
Symbol	Parameter		Maximum	Unit
VDss	Drain-to-Source Voltage		100	V
VGss	Gate-to-Source Voltage		±25	V
ID3	Continuous Drain Current	Tc=25C	140	A
ID3	Continuous Drain Current	Tc=100C	97
IDP4	Pulsed Drain Current	Tc=25C	530
IAS5	Avalanche Current		33
EAS5	Avalanche energy		560	mJ
PD	Maximum Power Dissipation	Tc=25℃	215	W
PD	Maximum Power Dissipation	Tc=100℃	105	W
TJ.TsTG	Junction & Storage Temperature Range		-55~175	℃