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TSS65R200F场效应管N沟道650V20A

发布时间：2026-01-30 15:57:22 点击次数：0

TSS65R200F 650V N-Channel MOSFET

Features特点:

Low Intrinsic Capacitances. 低固有电容。

Excellent Switching Characteristics. 出色的开关特性。

Extended Safe Operating Area.扩展的安全操作区域。

Unrivalled Gate Charge :Qg=45.4 nC(Typ.). 无与伦比的栅极电荷:Qg=45.4 nC(典型值。).

VDSS=650 V,ID=20A VDSS=650伏，内径=20A

RDS(on) : 0.20 Ω (Max) @VG=10V RDS(开):VG=10V时0.20ω(最大值)

100% Avalanche Tested100%雪崩测试

Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted)

Symbol	Parameter		Value	Unit
VDss	Drain-Source Voltage		650	V
lD	Drain Current	Tj=25℃	20	A
lD	Drain Current	Tj=100℃	12.5	A
VGSs	Gate-Source Voltage		±30	V
E AS	Single Pulse Avalanche Energy (note1)		578	mJ
DM	Pulsed Drain Current (note2)		60	A
Pb	Power Dissipation(Tj=25C)		34	W
T	Junction Temperature(Max)		150	℃
Tstg	Storage Temperature		-55~+150	℃
dv/dt	MOSFET dv/dt ruggeness,VDS=0V...480V		50	V/nS

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