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650V场效应管N沟道TSS10N65F特点及参数
发布时间：2026-01-09 14:24:07 点击次数：11
TSS10N65F
650V N-Channel MOSFET
特点Features:
低固有电容Low Intrinsic Capacitances。
出色的开关特性Excellent Switching Characteristics。
扩展的安全操作区域Extended Safe Operating Area.。
无与伦比的栅极电荷:Qg=35nC(典型值。) Unrivalled Gate Charge :Qg=35nC (Typ.).
BVDSS=650 V，内径=10A BVDSS=650 V,ID=10A
R DS(开):0.9ω(最大值)@V G=10V R DS(on) : 0.9 Ω (Max) @V G=10V
100%雪崩测试V G=10V □ 100% Avalanche Tested
Thermal Characteristics 热特性
| Sy mbol | Parameter | Typ. | Max. | Unit |
| Rθ JC | Thermal Resistance,Junction to Case | - | 2.4 | ℃/W |
| Rθ JA | Thermal Resistance,Junction to Ambient | - | 62.5 | ℃/W |
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