维品佳科技

启达启臣微CR5534采用700V高压启动集成600V高压MOS副边功率开关电源芯片兼容OB5224

CR5534绿色模式和Burst模式控制：

在轻载或者空载情况下，开关电源的大部分损耗来源于功率MOSFET的开关损耗，变压器铁损和缓冲电路的损耗。功率损失的程度正比于开关频率。较低的开关频率可以降低功率损耗，达到节能的目的。开关频率控制采用无噪音工作模式，在任何负载情况下都不会进入人耳敏感的音频范围，从而消除音频噪声。

功率管驱动:

内置功率MOSFET采用栅极软驱动控制。栅极驱动能力太弱将导致较高的开关损耗；栅极驱动能力太强又将导致EMI特性较差。因此两者之间必须采取一定的折中设计。内置的图腾柱栅极软驱动设计通过调节驱动强度和死区时间很好地实现了这个折中关系，从而使芯片更容易降低系统损耗并且实现良好的EMI特性设计。

保护控制:  

为了确保系统的正常工作，内置了多重保护措施。这些保护措施一旦被触发，将关断功率MOSFET。能够自动恢复的保护包括逐周期电流限制（OCP）、过温保护（OTP）、过载保护（OLP）、VDD欠压锁定（UVLO）保护；当VDD过压保护（OVP），将进入锁存状态。逐周期电流限制（OCP）带有内置线电压补偿，可实现宽输入电压范围（85V~265V）时恒定功率输出控制。具有“软启动、OCP、OLP、OTP自动恢复、OVP锁存”等多种保护功能；<200mS快速启动。

内置高压启动和欠压锁定：

采用了具有专利技术的高压启动电路，在启动时为VDD提供2mA的启动电流，当VDD电压充电到高于UVLO_OFF时，启动电流关闭，以达到降低系统功耗，减少待机损耗的目的。当VDD电容上的电压低于UVLO_ON，启动电流并不会对VDD充电，VDD电压继续下降到Vth_recovery阈值后，芯片重新启动。这个迟滞电压有效地降低了芯片在输出短路情况下的短路功耗。