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率能SS8841T/SS8841H替换DRV8841PWPR两路H桥电机芯片
发布时间:2022-10-24 15:35:25 点击次数:141

率能SS8841T-ET-TP/SS8841H-ET-TP替换DRV8841PWPR


SS8841T/SS8841H保护电路:

SS8841T/SS8841H内包含有欠压保护电路,过流保护电路和过温保护电路。 

(a)过流保护(OCP):

SS8841H:每个功率管的电流限制模拟电路通过移除栅极驱动来限制功率管的电流。如果过流电流持续时间大于OCP的尖峰时间(2.6us),所有的H 桥场效应管都将关断,并且nFAULT引脚将被拉低,芯片将保持不工作。经过3.5ms的等待时间后芯片重新工作,nFAULT引脚重新置高,并继续检测 OCP。若在此时OCP故障仍存在,则芯片在3.5ms的等待时间后继续工作,以此循环下去,直到OCP故障取消。

SS8841T:每个功率管的电流限制模拟电路通过移除栅极驱动来限制功率管的电流。如果过流电流持续时间大于OCP的尖峰时间(2.6us),所有的H桥场效应管都将关断,并且nFAULT引脚将被拉低,芯片将保持不工作。直到芯片故障排除,并且需要重新上电,或者通过nSLEEP、nRESET管脚重新复位芯片。

(b)过温保护(TSD)

如果芯片温度超过安全范围,所有的H桥场效应管都将关断,并且nFAULT引脚将被拉低。一旦温度降至安全水平,将自动恢复正常工作。

(c)欠压保护(UVLO)

如果VM电压低于欠压锁定阈值,芯片内部所有电路都不工作并且内部逻辑都清零。直到VM电压升高UVL阈值高时才恢复工作。

推荐电源电压:

SS8841工作在输入电源电压(VMX)8.2和40V的之间范围内,用于VMX的两个0.1µF陶瓷电容器必须尽可能接近的VMA和VMB引脚(每个引脚分别一个)。除了本地去耦电容之外,还需要附加的大容量旁路电容。并且必须根据应用要求进行相应的大小调整。

设计要求:                                        


参数符号数值
VM电源电压
VM24V
马达线圈电阻RL3.9Ω
马达线圈电感
IL2.9mH
检测电阻
RSENSE200mΩ
满量程电流
IFS 1.25A

nRESET和nSLEEP工作:


nRESET引脚,低电平有效,重置内部逻辑,同时也禁用H桥。当nRESET为低电平时,除了nSLEEP外的所有的输入均被忽略。 

当从睡眠模式返回时,在马达驱动完全运行之前,需要一段时间(大约1ms)。注意,nRESET和nSLEEP有约100kΩ内部下拉电阻。这些信号必须被设置到逻辑高电平来保证芯片工作。

耗散功率:

当驱动直流电动机时,每个H桥的平均功耗可以用方程3粗略估计:

其中PTOT为总功率损耗,RDS(on)是每个场效应管的电阻,而IOUT(RMS)为应用于每个绕组的均方根(RMS)输出电流。



















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