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TSS7N65D高压N沟道MOSFET参数资料
发布时间：2026-01-04 14:54:53 点击次数：16
TSS7N65D高压N沟道MOSFET参数资料
特点Features:
低固有电容。Low Intrinsic Capacitances.
出色的开关特性。Excellent Switching Characteristics.
扩展的安全操作区域。Extended Safe Operating Area.
无与伦比的栅极电荷:Qg=29nC(典型值。).Unrivalled Gate Charge :Qg=29nC(Typ.).
VDss = 650V伏，Ip=7A。VDss=650V,Ip=7A
RPS(0n):1.35ω(最大值)，VG=10V。Rps(0n) : 1.35Ω (Max) @VG=10V
100%雪崩测试100%。 Avalanche Tested
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted)
| Sy mbol | Parameter | Value | Unit | |
| VDSS | Drain-Source Voltage | 650 | V | |
| ID | Drain Current | Tj=25℃ | 7.0 | A |
| Tj=100℃ | 4.7 | |||
| VGSS | Gate-Source Voltage | ± 30 | V | |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy (note1) | 300 | mJ | |
| IAR | Avalanche Current (note2) | 7.0 | A | |
| PD | Power Dissipation (Tj=25 ℃ ) | 50 | W | |
| Tj | Junction Temperature(Max) | 150 | ℃ | |
| Tstg | Storage Temperature | -55~+150 | ℃ | |
| TL | Maximum lead temperature for soldering purpose,1/8’from case for 5 seconds | 300 | ℃ | |
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